南韓股市週一大漲　KOSPI逼近7000點，SK海力士、三星電子領漲記憶體類股

南韓股市9月7日（週一）大幅走高。加權股價指數KOSPI開盤跳空上漲，盤中漲幅一度達3.5%，來到約6921點，再度逼近7000點整數關卡。帶動指數的主力，是權值比重最高的兩檔記憶體晶片股——SK海力士與三星電子。

SK海力士盤中一度上漲約5.5%，股價回到170萬韓元之上；三星電子同步上漲逾4%，重返26萬韓元附近。日本市場同樣受惠於半導體族群買盤，日經225指數盤中站上66000點，鎧俠（Kioxia）、軟銀等與AI、記憶體相關個股漲幅多在5%以上。

觸發點：美股上週五的記憶體行情

亞洲市場週一的漲勢，主要反映美股在上週五（9月4日）的表現。美光（Micron，美股代號MU）當日收盤上漲約6%，NAND快閃記憶體廠商SanDisk單日大漲近12%，SK海力士在美國掛牌的存託憑證（代號SKHY）亦同步走高。

多項消息推升買盤。根據韓媒報導，美光計畫在2026年底前將高頻寬記憶體（HBM）月產能拉高到約10萬片晶圓，較一年前近乎倍增，以縮小與三星、SK海力士之間的產能差距，並擴大供應輝達（Nvidia）下一代AI加速器所需的12層HBM4。分析機構方面，瑞銀（UBS）將HBM價格的年增率預估由67%上修至79%；瑞穗（Mizuho）則形容記憶體是整條半導體供應鏈的「關鍵瓶頸」。

核心是供給，不只是需求

這一輪記憶體行情經常被歸因於AI帶來的需求爆發，但供給端的結構性緊縮，才是價格得以持續走高的關鍵。

HBM是把多顆DRAM晶粒垂直堆疊、封裝而成，製程複雜、良率較低。業界估算，每生產1個位元的HBM，會佔用掉約3個位元的一般DRAM產能。換言之，當原廠把產能往HBM傾斜，市場上可供應的標準型DRAM就同步減少——這是產能被「排擠」，而非廠商主動關廠或減產。

價格因此大幅上揚。市場數據顯示，DRAM合約價過去一年上漲約171%，DDR5現貨價自2025年9月以來已上漲數倍。美光先前表示，供需吃緊的情況預期將延續到2026年之後，其HBM產能已預售至2027年。

與過去循環的差別，以及風險

記憶體是典型的景氣循環產業，過去每一輪由缺貨、漲價、擴產、供過於求、殺價構成的循環，最終多以價格崩跌收場。2026年這一輪之所以被部分分析師視為「超級循環」，理由在於AI資料中心的資本支出提供了較長天期的需求能見度，加上HBM對產能的排擠效應，使供給短期內難以放量。多數研究機構認為，記憶體價格可望維持高檔至2027至2028年，之後才會出現部分正常化。

風險同樣存在。經過大幅上漲後，相關個股的評價已不便宜；SK海力士今年稍早市值一度超越三星電子，成為南韓市值最高的上市公司，反映市場對HBM題材的高度預期。值得注意的是，SK海力士美股存託憑證目前的預估本益比不到6倍——一個偏低的倍數，往往是市場在反映「獲利可能即將見頂」的看法，2027、2028年陸續開出的新產能也是變數。一旦AI資本支出成長放緩，或三大原廠擴產速度超出預期，供需平衡可能較市場預期更早反轉。記憶體股的高波動特性並未改變——今年6月，KOSPI就曾因晶片股獲利了結賣壓，單日下跌超過4%。

後續觀察

投資人接下來關注的焦點，包括美光即將公布的季度財報與財測、三星與SK海力士的HBM4認證與量產進度，以及DRAM、NAND合約價在第四季的談判結果。這些數據將決定這一輪由供給主導的行情，還能延續多久。

（本文根據公開資訊與媒體報導整理，不構成投資建議。）